篇一：帮你辨别正品Hynix海力士内存
无论是装机市场还是升级用户，Hynix海力士无疑都是大家公认的高性价比内存品牌，拥有最诱人的价格、优良的做工以及不俗的超频能力，确实让众多DIYer认同Hynix海力士内存。
巨大的需求量让造假之风盛行，电脑市场中Hynix海力士内存真是正/假难分，甚至很多经销商自己都不知自己手中的内存是否为海力士正品，所以说他们有时 候卖给你非正品内存时，可能是无心之过。靠自己最省心，学会辨别正品海力士内存也是资深DIYer的基本技能之一啊，下面便让我们进行台式机的正品 Hynix海力士内存辨别的五步培训。
一、看包装盒
所有Hynix海力士正品内存
Hynix的中文名称为“海力士”，Hynix海力士内存中国总代理为超胜科技（香港）有限公司。在包装盒上也都印刷有“超胜科技 正品代理”等字样。
二、看标签
从内存标签的颜色、字体等印刷质量可以简单的区分一些做工低劣的假“海力士”内存，假冒内存一般标签颜色暗淡，印刷内容拥挤，较模糊。正品Hynix海力 士内存标签颜色鲜艳，字体清晰。目前正品Hynix海力士内存规格参数标签有两种如图：上边的为DDR的内存标签，下边的为DDR2的内存标签。
三、看内存颗粒
假冒内存的内存颗粒来源有两个，1、打磨颗粒——将原有不同厂家、参数较低的颗粒打磨掉再刻印上新规格参数，这种打磨颗粒一般都整体色彩不太均匀，字体较模糊，使用一段时间后刻印内容掉色严重；2、白片——即出厂时无印刷内容，字体内容都是后刻上去的。
判别内存颗粒的真假，1.注意看颗粒整体着色是否均匀，印刷字体是否顺滑，有指甲盖轻轻划颗粒上的印刷体，看是否有掉漆现象；2.Hynix海力士内存颗 粒，在芯片的右下角都会有圆形小凹坑，部分假冒颗粒，圆形小凹坑则很大或没有凹坑；3.正品Hynix海力士内存颗粒在两侧是没有半圆形缺口的。
四、看PCB板
正品Hynix海力士内存采用独特的六层PCB专用设计，在显存颗粒周围，置有大量耦合电容以用于稳定输入电平，保持电压的稳定；布线时大面积覆铜，以保 证整块内存电气性能优异，抗干扰能力强，稳定性高。金手指色泽纯正光亮，做工使用技术成熟的化学镀金制作工艺。另外正品Hynix海力士内存在PCB板的 正面左上方有“Hynix”或者“Leadram” 字样。假冒的海力士内存部分使用4层PCB板，基板厚度明显比正品内存要薄，同时内存基板上的信号线比较多较多，显得凌乱，PCB板的正面左上方一般没有 “Hynix”或者“Leadram” 字样。
五、看防伪电话
国内Hynix海力士内存总代理超胜科技在Hynix海力士正品内存都采用盒装，并在内存上贴有Leadram 800防伪标贴，你可以在购买海力士内存时是刮开防伪涂层，通过800-810-6046免费电话，即刻获知所购内存的真伪，这一点是最重要的防伪鉴别方 法。
了解了以上五点，相信您一定能很快区分正品Hynix海力士内存和假货了。以上的鉴别主要针对台式机的正品Hynix海力士内存，对于笔记本的正品Hynix海力士内存的鉴别请听下回分解
篇二：如何通过颗粒编号,识别当今现代(HYNIX)内存条规格
如何通过颗粒编号，识别当今现代（HYNIX）内存条规格
消费者通过查看颗粒编号的含义，以识别自己购买内存是否为正品的文章，已经很早就有人开始写了。但随着现代新品颗粒的推出，以及对颗粒编号的调整，早期那些文章已经不能再担任帮助消费者识别真伪的重任。而当今市场，不论是原厂还是兼容，使用现代HY内存颗粒的产品仍然十分常见，再加上消费者因新编号定义不明，而受骗上当的例子仍然存在，因此，我们将对现代颗粒的最新编号定义，对深圳市龙俊电子有限公司总代的现代SDRAM/DDR SDRAM/DDR2 SDRAM三种主流内存颗粒的编号一一进行说明。
一、DDR SDRAM：
现在正值DDR SDRAM内存销售的鼎盛时期，颗粒制造厂稍有个风吹草动，都会影响到整个零售市场的内存价格。现代的DDR SDRAM内存颗粒作为当今零售市场内存产品的主流选件，更是决定着整个内存市场走势的关键。虽然，它并不是利润最高的产品，但由于是主流规格的原因，仍然是内存经销商“走量”的首选产品。
我们以新近上市的现代DDR 500内存的颗粒编号为例。这种最新上市的DDR 500原厂现代内存，采用了编号为HY5DU56822CT-D5的内存颗粒。从这组编号，我们可以了解到如下一些信息：这是一款DDR SDRAM内存，容量256MB，使用了8颗粒结构，并占用2个bank数，封装方式则采用了TSOP II结构。
究竟这些含义是如何被分辨出来的呢？下面我们就对现代DDR SDRAM内存的颗粒编号进行一些说明。
HYNIX DDR SDRAM颗粒编号：
整个DDR SDRAM颗粒的编号，一共是由14组数字或字母组成，他们分别代表内存的一个重要参数，了解了他们，就等于了解了现代内存。
颗粒编号解释如下：
1． HY是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。
2． 内存芯片类型：（5D=DDR SDRAM）
3． 处理工艺及供电：（V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V）
4． 芯片容量密度和刷新速度：（64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新）
5． 内存条芯片结构：（4＝4颗芯片；8＝8颗芯片；16＝16颗芯片；32＝32颗芯片）
6． 内存bank（储蓄位）：（1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank）
7． 接口类型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18）
8． 内核代号：（空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代）
9． 能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型）
10． 封装类型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC:8x13mm））
11． 封装堆栈：（空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J＝其它；M=MCP（Hynix）；MU＝MCP（UTC））
12． 封装原料：（空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素）
13． 速度：（D43＝DDR400 3-3-3；D4=DDR400 3-4-4；J＝DDR333；M＝DDR333 2-2-2；K＝DDR266A；H＝DDR266B；L＝DDR200）
14． 工作温度：（I=工业常温（-40 - 85度）；E=扩展温度（-25 - 85度））
由上面14条注解，我们不难发现，其实最终我们只需要记住2、3、6、13等几处数字的实际含义，就能轻松实现对使用现代DDR SDRAM内存颗粒的产品进行辨别。尤其是第13位数字，它将明确的告诉消费者，这款内存实际的最高工作状态是多少。假如，消费者买到一款这里显示为L的产品（也就是说，它只支持DDR 200的工作频率），那么就算内存条上贴的标签或者包装盒上吹的再好，它也只是一款低档产品。
一、DDR2 SDRAM：
DDR2 SDRAM作为一种已经在显卡领域得到尝试性应用，并将很快成为主机内存设备的产品，现在在市场中还并不多见，但对于下半年，以至于未来几年内存市场的主打型号，消费者还是有必要对其进行一定了解的。更何况，由于此种产品的编号是从DDR SDRAM编号演变而来，所以，只要您对我们刚才提到的DDR SDRAM编号有所了解，那么辨认DDR2 SDRAM也并不是什么难事。 HYNIX DDR2 SDRAM颗粒编号：
细心的读者可以从上表发现区别，现代DDR2 SDRAM的颗粒编号，实际上要比DDR SDRAM少一位。其中原本第11位代表的『封装堆栈』被省略，而其他位编号的定义基本保持不变，只是针对新的DDR2 SDRAM颗粒的属性，增加了一些新的含义。
颗粒编号解释如下：（这里只对存在区别的部分加以说明）
2． 内存芯片类型：（5P=DDR2 SDRAM）
3． 处理工艺及供电：（仅有S一种，对应参数为：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V）
4． 芯片容量密度和刷新速度：（保留28、56、 12、1G四种编号；新增2G：2G 8K刷新）
7． 接口类型：（保留2=SSTL_2；而SSTL_18则变为1表示）
10． 封装类型：（F＝FBGA；S＝FBGA Stack封装；M＝FBGA DDP(Dual Die Package)）
12． 封装原料：（空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素）
13． 速度：（S7=DDR2-800 7-7-7；S6=DDR2-800 6-6-6；Y6=DDR2-667 6-6-6；Y5=DDR2-667 5-5-5；C5=DDR2-533 5-5-5；C4=DDR2-533 4-4-4；C3=DDR2-533 3-3-3；E4=DDR2-400 4-4-4；E3=DDR2-400 3-3-3）
算下来，有变化的部分，大概有7位，基本上都是因为技术更新，而简略了旧的规格代码，加入了新的代码定义。其中，最值得大家注意的，还是第13位的数字。现代公司对DDR2 SDRAM内存的这一位编号，进行了全新的改革。将会以S、Y、C、E这四个英文字母，分别代表DDR2的四种工作频率，依次是：800MHz、667MHz、533MHz、400MHz。而7、6、5、4、3这五个数字，显然是代表该对应内存的细节设定分别是7-7-7、6-6-6、5-5-5、4-4-4、3-3-3
。
一、SDRAM：
由于现在使用SDRAM内存的用户还很多，其中还想升级现有SDRAM内存容量的用户比例更是不少，因此SDRAM内存还不会现在就退出市场。在此文的最后，我们就再返回来说说现代内存在SDRAM方面的编号设定。
其实，现代SDRAM内存的编号和DDR SDRAM同属现代DRAM类产品，因此编号都基本相同。用户只需记住编号中“－”后面的一位或两位数字，就能轻松识别现代SDRAM内存性能。现在现代SDRAM内存最这一位代码的设定，分如下几种：
一般在市场中，我们最长见到编号尾数为“H”的产品，即PC133且CL=3的产品，如果当用户购买的内存结尾为其他数字或字母时，最好能先依照上面列表中的数字进行比对，以免买到性能低下的内存产品。
篇三：主流DDR内存芯片与编号识别
我们关注哪些厂商
在本站前不久的
内存评测与优化专题中，经常会提到一些内存芯片编号，最近在一些论坛中也发现了类似的话题，因此就有了写一篇这方面文章的想法。在下文中，我们将介绍世界主流内存芯片厂商的芯片识别与编号的定义。所有相关资料截止至2004年4月6日，由于内存产品肯定存在着新旧交替与更新换代，厂商也因此会不定期的更新编码规则以为新的产品服务，所以若发现新产品的编号与我介绍的有所不同，请以当时的新规则为准。
这里要强调的是，所谓的主流厂商，就是指DRAM销售额世界排名前十位的厂商，有不少模组厂商也会自己生产内存芯片。但请注意，他们并不是真正的生产，而只是封装！像胜创（KingMax）、金士顿（Kingston）、威刚（ADATA、VDATA）、宇瞻（Apacer）、勤茂（TwinMOS）等都出过打着自己品牌的芯片，不过它们自己并不生产内存晶圆，而是从那些大厂购买晶圆再自己或找代工厂封装。这类的芯片并不是主流（除了自己，其他模组厂商不可能用），厂商也没从公布完整详细的编号规则，有时不是厂商某一级别的技术人员都不会说清自己封装芯片的编号规则。因此，本文所介绍的内容不包括它们，请读者见谅。
那么，现在常见的内存芯片都是哪些厂商生产的呢？我们可以先看看下面这个2003年世界最大十家DRAM厂商排名。
从中可以看出，排名前十的厂商是三星（SAMSUNG，韩国）、美光（Micron，美国）、英飞凌（Infineon，德国）、Hynix（韩国）、南亚
（Nanya，中国台湾）、尔必达（ELPIDA，日本）、茂矽（Mosel Vitelic，中国台湾），力晶（Powerchip，中国台湾）、华邦（Winbond，中国台湾）、冲电气（Oki，日本）。
这其中，除了力晶、冲电气以外都是我们所比较熟悉的厂商，但华邦则在经历战略调整，大众商用型DDR
内存芯片已经不再开发新的产品，并将于2004年年底退出这一领域。力晶半导体公司则也与之相似，在DDR内存开发上似乎并不上心，公司主页也非常简单。鉴于使用力晶与冲电气的内存产品非常罕见，以及华邦的未来走向，本文将按排名顺序依次介绍前7家公司的产品。由于相关参数的含义，本站的相关文章已经有详细的解释，在此我们就不再进行介绍了。
小提示：内存编号都能告诉我们什么？
在本站以往的内存专题中，大家可以了解到，对于内存系统而言，我们应该知道的一些内存基本信息，它们将有助于我们正确的认识内存的物理参数并进行正确的系统设置，而内存芯片上的编号则提供了关键参数的相关信息，主要包括：
1、芯片的容量：也称芯片的密度，当我们见到一个内存模组，在不知道容量的时候，可以通过芯片的容量来计算出模组的容量，计算方式就是用芯片的数量乘以芯片的容量。单位是bit（小b），除以8就可以换算为Byte（大B）的容量。
2、芯片的位宽：可以说是芯片的结构，知道了芯片的位宽后，乘以芯片的数量就可以得出内存模组的总位宽，并以此能判断模组的物理Bank数量。比如8颗8bit的芯片组成的模组，就是单物理Bank模组，如果是16颗8bit芯片，就是双物理Bank。对于目前的内存子系统而言，增加一个物理Bank，就会增加可供管理的页面数量，有利于提高内存管理效率。
3、芯片的逻辑Bank数量：这可以让我们判断页面数量，进而设置相应的交错策略。
4、芯片的工作速度：这可能是最重要的信息，有的厂商还附带规定了相关的CL、tRCD、tRP时序参数，这无疑对我们了解芯片的能力是非常有用的，它可以免除我们查看SPD中的时序信息的麻烦（理论上，SPD中的时序信息要与所使用的内存芯片的参数相一致）。
除此之外还会有封装类型、刷新设置、接口、电压等方面的信息。总之，了解了芯片编号的含义，就基本可以判断其主要的指标了。
三星电子（SAMSUNG）
三星电子（SAMSUNG）
三星电子内存芯片的外观
三星电子内存芯片编号的说明如下（可点击放大）：
三星的产品编号中能体现的信息并不是非常详细，但对于一般的指标识别是完全够用了，其中16、17、18三个编码一般不会在零售市场上出现，据悉它是为OEM市场而准备的编号。另外，在本图中，有关速度的标识并不全面，除了图中的5个选项外，还有以下两种也是比较常见的：
C4：DDR-400（3-4-4）
C5：DDR-466（3-4-4）
比如以上面的芯片图为例，我们可以看出它的容量是256Mbit，位宽为8bit，4个逻辑Bank、接口类型是SSTL-2，工作电压是2.5V，产品版本号为
F，采用TSOP-II封装，为大众化普通商用产品，工作速度为
DDR-400B
级标准（
3-3-3）。
美光科技（Micron）
美光科技（Micron）
美光科技内存芯片的外观
美光内存芯片编号的说明如下（可点击放大）：
美光科技的编号相当详细，这是因为它将所有的DRAM芯片编号进行了统一，包括久远的EDO（在一些专用设备上仍然会使用到它）和未来的DDR-2芯片，所以也显得参数很多，甚至在封装类型中还体现出有铅和无铅（Lead Free）封装，但好在分类还是比较清楚的。值得注意的是芯片的版本，其规则
也基本与三星的一样，越靠后越新，但会有一些特殊的规定，如果是LF、S2、
SF、
T2等标识则代表了该产品集成了两个内核，可以认为是堆叠式（Stack）封装）。而特殊功能则是指产品所具备的一些功能可选项，但自刷新（Self Refresh）自从16Mb的SDRAM以后就是标准的设计，所以这一项是无关紧要的。
在芯片结构方面，表示容量单位的字母（K、M、G，这三个字母大家应该很熟悉了吧）后面的数字就是芯片的位宽，它乘以前面的字母与数字组合的结果就是芯片的容量，单位是Bit。比如图中的例子是32M8，代表的是位宽为8bit，乘以32M，总容量为256Mbit。
以上面的芯片图为例，可以看出它的容量是256Mbit，位宽8bit，采用TSOP-II封装，产品版本应该是第一代（没有版本编号）、速度为DDR-400（3-3-3）。
英飞凌（Infineon）
英飞凌（Infineon）
英飞凌内存芯片的外观
有人将Infineon称为西门子（Siemens），事实上英飞凌的前身是西门子半导体公司，在SDRAM时代，我们经常看到Siemens字样的内存，但如今Infineon早已独立，所以今后不再叫它是西门子内存了。
英飞凌内存芯片编号的说明如下（可点击放大）：